SK海力士公布3D FeNAND存内计算研究成果

2026年10月15日，据IT之家报道，SK海力士公布3D FeNAND实现模拟存内计算（A-CiM）的研究成果，相关研究已发表于IEEE论文。报道称，该技术利用铁电材料极化状态存储数据并控制电流，可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合AI计算所需的权重数据；相比采用电荷俘获氮化物结构的传统3D NAND，A-CiM能直接在存储器执行乘积累加运算，减少数据搬运、提升处理速度和能效。目前该事件仅有这一篇报道，尚无后续跟进报道，报道未披露量产时间、适用产品范围或收费安排等信息。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。