SK 海力士推出 3D FeNAND 技术，瞄准 AI 计算

SK 海力士公布 3D FeNAND 实现模拟存内计算（A-CiM）的研究成果，已发表于 IEEE 论文。该技术利用铁电材料极化状态存储数据并控制电流，可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合 AI 计算所需的权重数据。相比采用电荷俘获氮化物结构的传统 3D NAND，A-CiM 能直接在存储器执行乘积累加运算，减少数据搬运、提升处理速度和能效。