华邦电子拟第二代14nm DRAM导入EUV
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华邦电子拟第二代14nm DRAM导入EUV
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2026年11月9日，IT之家报道，华邦电子计划在其第二代14nm级DRAM工艺中应用EUV光刻技术，若开发顺利，预计2030年导入。报道称，华邦已与ASML在EUV上合作3.5年，并派员工赴ASML培训；ASML承诺首台EUV光刻机约2年后交付，后续设备需等3.5年。同期，华邦通过总额713.63亿新台币的高雄Module B新建预算，覆盖土建、机电和部分长交货周期设备。上述导入时间、设备交付节奏均以开发顺利为前提，属公司计划与供应商承诺，尚非已实现量产。目前进展停留在规划与设备筹备阶段，后续能否按期导入有待观察。
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最新进展11月9日 16:07
华邦电子：14nm DRAM 将推 EUV 版本，有望 2030 年导入报道时间线
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11月9日
- IT之家华邦电子：14nm DRAM 将推 EUV 版本，有望 2030 年导入
华邦电子计划在第二代 14nm 级 DRAM 工艺中应用 EUV 光刻技术，若开发顺利预计 2030 年导入。公司已与 ASML 在 EUV 上合作 3.5 年并派员工赴 ASML 培训，ASML 承诺首台 EUV 光刻机约 2 年后交付，后续设备需等 3.5 年。华邦近期通过总额 713.63 亿新台币的高雄 Module B 新建预算，覆盖土建、机电和部分长交货周期设备。
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