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华邦电子:14nm DRAM 将推 EUV 版本,有望 2030 年导入
华邦电子:14nm DRAM 内存将有 EUV 版本,有望 2030 年导入
AI 导读
华邦电子计划在第二代 14nm 级 DRAM 工艺中应用 EUV 光刻技术,若开发顺利预计 2030 年导入。公司已与 ASML 在 EUV 上合作 3.5 年并派员工赴 ASML 培训,ASML 承诺首台 EUV 光刻机约 2 年后交付,后续设备需等 3.5 年。华邦近期通过总额 713.63 亿新台币的高雄 Module B 新建预算,覆盖土建、机电和部分长交货周期设备。
推荐理由模型分析
华邦电子披露其第二代14nm级DRAM计划导入EUV,并给出与ASML合作3.5年、首台设备约2年交付、目标2030年导入的时间线,可作为观察利基存储厂商先进光刻准备进度的具体节点。高雄Module B的713.63亿新台币预算仅覆盖土建、机电和部分长周期设备,并非整厂投资,提醒读者区分已批预算与完整产能规划。陈沛铭对2027~2028年AI数据中心建设影响有限、2029年取决于CSP资金的判断属企业高管观点,需结合后续资本开支验证。
来源:IT之家 · ithome.com