三星将采用台积电3nm工艺为英伟达生产HBM基底裸片

2026年10月18日，IT之家援引首尔经济日报报道称，三星电子已决定接受英伟达要求，采用台积电3nm工艺生产英伟达下一代定制HBM的基底裸片，改变此前核心裸片与基底裸片均由三星自产的一站式模式。报道同时明确，这一调整仅针对英伟达下一代定制HBM：对于标准HBM产品，三星仍保留一站式全包生产策略；面向AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续沿用一站式全包生产方案；三星也保留了在自家晶圆厂研发、生产NVHBM的可能性。目前进展停留在决定采用台积电3nm工艺生产英伟达下一代定制HBM基底裸片这一层面，尚无后续跟进报道。

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