三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片

据首尔经济日报报道，三星电子决定接受英伟达要求，采用台积电 3nm 工艺生产英伟达下一代定制 HBM 的基底裸片，改变此前核心裸片与基底裸片均由三星自产的一站式模式。