KAIST用半导体工艺延长无阳极电池寿命

2026年9月22日，韩国科学技术院（KAIST）宣布，由化学与生物分子工程系Jinwoo Lee和Hee-Tae Jung教授领导的合作团队取得突破，相关成果已于9月1日在线发表于国际期刊《Advanced Functional Materials》。团队采用半导体领域的二次溅射光刻（SSL）工艺改造铜箔，在铜箔上制备出约300纳米宽、150纳米高的微管阵列，使铜箔沉积锂的可用表面积提升至普通平箔的约4倍，从而抑制锂枝晶生长；同时在铜箔上涂覆约10纳米厚的MXene涂层，在LiPF6基电解液中促进富LiF保护层均匀形成。该方案在不显著增加体积和重量的前提下延长无阳极电池的工作寿命。2026年10月28日，ScienceDaily Materials对此进行了报道。目前进展停留在研究成果发布阶段，报道未提及产业化或量产时间表。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。