KAIST 用半导体工艺改造铜箔，延长无负极电池寿命

韩国 KAIST 团队用半导体领域的二次溅射光刻（SSL）在铜箔上制备约 300 纳米宽、150 纳米高的微管阵列，使铜箔沉积锂的可用表面积提升至普通平箔的约 4 倍，抑制锂枝晶生长。研究还在铜箔上涂覆约 10 纳米厚的 MXene 涂层，在 LiPF6 基电解液中促进富 LiF 保护层均匀形成。该方案在不显著增加体积和重量的前提下延长无负极电池工作寿命。