三星计划明年初完成3D Cube-H开发

2026年11月10日，IT之家报道称，三星电子已制定计划，力争明年初完成先进封装技术“3D Cube-H”的开发工作，该技术主要面向超高性能AI芯片。报道称，3D Cube-H采用混合键合技术，端子间距约6 μm，远小于传统TC键合约25 μm的水平，可提升芯片连接密度并降低每比特能耗。报道还称，三星计划在明年初完成首个设计套件，之后将开始与潜在客户进行评估。目前公开报道仅涉及上述开发计划与时间安排，尚无该技术完成开发或客户评估结果的进一步消息。

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