三星电子计划明年初完成先进封装技术 3D Cube-H 开发

三星电子计划明年初完成混合键合先进封装技术 3D Cube-H 的开发，主要面向超高性能 AI 芯片。该技术端子间距约 6 μm，远小于传统 TC 键合约 25 μm 的水平，可提升芯片连接密度并降低每比特能耗。公司计划明年初完成首个设计套件，随后与潜在客户展开评估。