长江存储拟建第四座NAND工厂
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长江存储拟建第四座NAND工厂
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2026年11月6日，IT之家援引知情人士消息报道，长江存储计划在武汉建设第四座NAND工厂，生产存储单元垂直堆叠层数超过300层的最先进NAND芯片。报道称，该厂国产设备采购比例设定为至少60%、力争达到70%；工厂预计明年动工，但目前长江存储仅与供应商进行初步讨论，尚未正式下达订单。同一报道提到，其第三座工厂预计今年晚些时候投产，中国供应商设备占采购总量约50%以上。上述规划、比例与时间表均来自知情人士说法，尚未见长江存储正式确认，动工与采购安排仍存不确定性。
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最新进展11月6日 17:24
消息称长江存储计划建设第四座 NAND 工厂，国产设备占比力争达到 70%报道时间线
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11月6日
- IT之家消息称长江存储计划建设第四座 NAND 工厂，国产设备占比力争达到 70%
长江存储计划在武汉建设第四座 NAND 工厂，生产存储单元垂直堆叠层数超过 300 层的最先进 NAND 芯片，新工厂国产设备采购比例设定为至少 60%、力争达到 70%。工厂预计明年动工，目前仅与供应商初步讨论、尚未正式下达订单。其第三座工厂预计今年晚些时候投产，中国供应商设备占采购总量约 50% 以上。
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- 可比范围当前
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- 可比范围峰值
- 1011月6日 18:00
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11月7日12:0011月8日12:00
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