消息称长江存储计划建设第四座 NAND 工厂，国产设备占比力争达到 70%

长江存储计划在武汉建设第四座 NAND 工厂，生产存储单元垂直堆叠层数超过 300 层的最先进 NAND 芯片，新工厂国产设备采购比例设定为至少 60%、力争达到 70%。工厂预计明年动工，目前仅与供应商初步讨论、尚未正式下达订单。其第三座工厂预计今年晚些时候投产，中国供应商设备占采购总量约 50% 以上。