泰坦未来发布国内首款12英寸多晶碳化硅衬底
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泰坦未来发布国内首款12英寸多晶碳化硅衬底
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AI 综述
2026年10月29日,据IT之家报道,湖南泰坦未来科技有限公司发布国内首款12英寸多晶碳化硅(Poly-SiC)衬底,面向AI芯片先进封装散热基板、复合衬底及刻蚀部件等场景。报道称,该衬底沉积速度达每小时60微米,最低电阻率小于1毫欧·厘米,孔洞缺陷少于每平方厘米0.1个,热导率不低于300W/(m·K)。报道还称,该产品目前已通过台积电相关认证测试,并向三星送样,同时与谷歌、英伟达等企业展开合作;项目正处于样品验证向小批量试产过渡阶段,预计2027年后逐步规模化供货。目前进展停留在发布与样品验证阶段,尚未进入规模化量产。
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最新进展10月29日 14:08
泰坦未来发布国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底,已通过台积电认证测试并向三星送样报道时间线
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10月29日
- IT之家泰坦未来发布国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底,已通过台积电认证测试并向三星送样
湖南泰坦未来科技发布国内首款 12 英寸多晶碳化硅(Poly-SiC)衬底,面向 AI 芯片先进封装散热基板与复合衬底、刻蚀部件场景。该衬底沉积速度达每小时 60 微米,最低电阻率小于 1 毫欧·厘米,孔洞缺陷少于每平方厘米 0.1 个,热导率≥300W/(m·K)。
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