泰坦未来发布国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底，已通过台积电认证测试并向三星送样

湖南泰坦未来科技发布国内首款 12 英寸多晶碳化硅（Poly-SiC）衬底，面向 AI 芯片先进封装散热基板与复合衬底、刻蚀部件场景。该衬底沉积速度达每小时 60 微米，最低电阻率小于 1 毫欧·厘米，孔洞缺陷少于每平方厘米 0.1 个，热导率≥300W/(m·K)。