英飞凌制成全球首个300mm碳化硅功率器件晶圆

2026年11月9日，英飞凌宣布已在全规模半导体晶圆厂环境中，将300mm（12英寸）碳化硅（SiC）晶圆加工为功率半导体器件，所用设备为奥地利Villach晶圆厂现有的硅半导体制造设备。英飞凌称，这一创举基于该厂现有硅产线设备；公司将与客户和合作伙伴密切合作，规划12英寸SiC技术及量产时机，同时进一步推进其200mm SiC制造路线图。报道未披露该晶圆的具体器件类型、良率或量产时间表。截至2026年11月10日报道，事件进展为英飞凌完成上述加工并公布规划意向，量产仍待与客户及合作伙伴协商确定。

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