英飞凌在现有硅产线上制成 300mm 碳化硅功率器件晶圆

英飞凌在 Villach 现有硅产线上把 300mm 碳化硅晶圆加工成功率器件，给出了大尺寸 SiC 走向商业化的一个工艺节点参考。关注功率半导体制造的人可以留意其与 200mm 路线图的衔接，以及德累斯顿冷分片技术在 12 英寸 SiC 上的验证情况，量产时间尚未确定。