消息称台积电考虑进军先进内存芯片制造，或为英伟达生产3D DRAM

《The Information》援引两名知情人士报道，台积电正考虑进军先进内存芯片制造，并已应英伟达要求开始规划生产3D DRAM。该架构通过垂直堆叠存储单元提升容量，被视为应对AI算力对高带宽、高密度内存需求的方向之一。台积电尚未确定量产时间，正在评估新建专用厂或收购现有晶圆厂改造两条路径，并回应称不评论市场传闻、始终专注晶圆代工核心业务。