铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片流片
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铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片流片
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AI 综述
2026年10月14日，据IT之家报道，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，目前正推进芯片验证。该芯片基于1TnR技术路线，采用28nm CMOS工艺平台及1T4R存储结构，单芯片容量达1Gb，存储密度30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。报道称这是铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片的流片进展，后续验证情况尚待披露。
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最新进展10月14日 15:54
铭芯启睿首款 1Gb RRAM 芯片“泰山一号”流片：28nm 工艺、1T4R 结构，密度 30Mb/mm²报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月14日
- IT之家铭芯启睿首款 1Gb RRAM 芯片“泰山一号”流片：28nm 工艺、1T4R 结构，密度 30Mb/mm²
铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成首代高密度大容量 RRAM 芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，目前正推进芯片验证。该芯片采用 28nm CMOS 工艺平台及 1T4R 存储结构，单芯片容量达 1Gb，存储密度 30Mb/mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路。
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